| 型号：DI9952T | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Diodes Inc |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| 系列 | - |
| 制造商 | Diodes Inc |
| FET型 | N 和 P 沟道 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 2.9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | - |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | - |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | - |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 深圳市维基鸿电子有限公司 | 米小姐，黄小姐19520735817/13148740183 |
| 深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
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| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
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| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳市世品佳电子有限公司 | 销售部0755-/83218466/83200833 |
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